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NIS6111QPT1G产品参数
型号:NIS6111QPT1G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, CASE 488AC-01, LLP-32
针数:32
制造商包装代码:CASE 488AC-01
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.74
Is Samacsys:N
应用:EFFICIENCY
配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:S-PQCC-N11
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:90 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:11
最高工作温度:125 °C
最大输出电流:30 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:24 V
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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