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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 深圳市恒益昌科技有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 封装SOT223 
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  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 封装40V,3A,NPN双极性功率晶体管 
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  • 只做品牌原装假一赔十
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 厂家ON(安森美) 
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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 数量45000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-223 
  • 批号23+ 
  • 现货只售原厂原装可含13%税
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-223 
  • 批号23+ 
  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 数量73000 
  • 厂家一级代理 
  • 封装一级代理 
  • 批号一级代理 
  • 一级代理正品采购
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  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • 数量6600 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT223 
  • 批号20+ 
  • 原盒原装原标签,市场最低价。
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  • 0755-83229772 QQ:215672808
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家ON 
  • 封装原厂封装 
  • 批号22+ 
  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量18531 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-22.. 
  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货特价
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量36218 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-223 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥3.2元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 数量11846 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-223 
  • 批号1818+ 
  • 一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
  • QQ:1258645397QQ:1258645397 复制
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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 数量18000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-223 
  • 批号24+ 
  • 全新原装现货,欢迎询购!
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 数量27726 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-223(TO-261) 
  • 批号23+ 
  • 原装正品现货,郑重承诺只做原装!
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  • 0755-84534256 QQ:2885348305QQ:2885348305
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  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家ONSEMICON 
  • 封装N/A 
  • 批号23+ 
  • 只做进口原装QQ询价,专营射频微波十五年。
  • QQ:604502381QQ:604502381 复制
  • 0755-83002105 QQ:604502381
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  • 深圳市西源信息科技有限公司

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  • 数量8800 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT223 
  • 批号最新批号 
  • 原装现货零成本有接受价格就出
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  • 0755-84876394 QQ:840638855
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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 数量3577 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-223 
  • 批号2023+ 
  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 数量26700 
  • 厂家ON(安森美) 
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  • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量85000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT223 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 深圳市恒意法科技有限公司

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  • 数量8000 
  • 厂家onsemi 
  • 封装SOT-223 (TO-261-4, SC-73) 
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  • 正规渠道原装正品现货
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 数量1200 
  • 厂家ON 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 数量9000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-223 
  • 批号2021+ 
  • 百分百进口原装正品现货假一罚百
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  • 深圳市楷兴电子科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家ON Semiconductor 
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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 深圳现货库存,保证原装正品
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产品型号NJT4031NT1G的概述

芯片NJТ4031NT1G的概述 NJТ4031NT1G是一种广泛应用于现代电子设备中的高性能NPN晶体管,该芯片属于某些特定集成电路的构成部分,能够在多种电源和负载条件下提供可靠的性能。NPN型晶体管是一种极为重要的元件,广泛用于信号放大、开关控制和电流驱动等各类电路中。NJТ4031NT1G在设计上具有低噪声特性和高频响应,适合于音频和射频应用。 芯片NJТ4031NT1G的详细参数 NJТ4031NT1G的详细技术参数通常包括其最大集电极电压、最大发射极电流、直流电流增益等。根据厂家提供的技术手册,NJТ4031NT1G的主要参数如下: - 集电极-发射极电压 (Vce):最大可达 50V - 发射极-基极电压 (Veb):最大可达 5V - 集电极电流 (Ic):最大为 1A - 直流电流增益 (hFE):范围一般在 100至 300之间,具体数值依赖于工作条件 - 结温范围:...

产品型号NJT4031NT1G的Datasheet PDF文件预览

NJT4031N  
Preferred Device  
Bipolar Power Transistors  
NPN Silicon  
Features  
ꢀCollector -Emitter Sustaining Voltage -  
CEO(sus)  
http://onsemi.com  
V
= 40 Vdc (Min) @ I = 10 mAdc  
C
ꢀHigh DC Current Gain -  
FE  
NPN TRANSISTOR  
3.0 AMPERES  
h
= 200 (Min) @ I = 1.0 Adc  
C
= 100 (Min) @ I = 3.0 Adc  
C
ꢀLow Collector -Emitter Saturation Voltage -  
= 0.150 Vdc (Max) @ I = 1.0 Adc  
= 0.300 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
40 VOLTS, 2.0 WATTS  
V
CE(sat)  
C
C
C 2,4  
ꢀSOT-223 Surface Mount Packaging  
ꢀEpoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 in  
ꢀESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 8000 V  
Machine Model, C; > 400 V  
ꢀThese are Pb-Free Devices  
B 1  
E 3  
Schematic  
MARKING  
DIAGRAM  
SOT-223  
CASE 318E  
STYLE 1  
AYW  
4031NG  
1
A
Y
= Assembly Location  
Year  
W
= Work Week  
4031N = Specific Device Code  
G
= Pb-Free Package  
PIN ASSIGNMENT  
4
C
B
C
E
3
1
2
Top View Pinout  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
August, 2007 - Rev. 0  
1
Publication Order Number:  
NJT4031N/D  
NJT4031N  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector-Emitter Voltage  
V
CEO  
Collector-Base Voltage  
V
CB  
40  
Emitter-Base Voltage  
V
EB  
6.0  
1.0  
Base Current - Continuous  
I
B
C
Collector Current - Continuous  
Collector Current - Peak  
I
3.0  
5.0  
Total Power Dissipation  
P
D
W
2.0  
0.80  
Total P @ T = 25°C mounted on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR-4 bd material  
D
A
Total P @ T = 25°C mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR-4 bd material  
D
A
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–ꢁ55 to +ꢁ150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the  
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect  
device reliability.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
- Junction-to-Ambient on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR-4 bd material  
- Junction-to-Ambient on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR-4 bd material  
°C/W  
R
64  
155  
q
JA  
JA  
R
q
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
T
260  
°C  
L
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
NJT4031NT1G  
NJT4031NT3G  
SOT-223  
(Pb-Free)  
1000 / Tape & Reel  
4000 / Tape & Reel  
SOT-223  
(Pb-Free)  
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging  
Specifications Brochure, BRD8011/D.  
http://onsemi.com  
2
NJT4031N  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
V
Vdc  
Vdc  
CEO(sus)  
40  
(I = 10 mAdc, I = 0 Adc)  
C
B
Emitter-Base Voltage  
(I = 50 mAdc, I = 0 Adc)  
V
EBO  
CBO  
6.0  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 40 Vdc)  
CB  
I
nAdc  
nAdc  
100  
100  
Emitter Cutoff Current  
(V = 6.0 Vdc)  
BE  
I
EBO  
ON CHARACTERISTICS (Note 1)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
Vdc  
CE(sat)  
0.100  
0.150  
0.300  
(I = 0.5 Adc, I = 5.0 mAdc)  
C
B
(I = 1.0 Adc, I = 10 mAdc)  
C
B
(I = 3.0 Adc, I = 0.3 Adc)  
C
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I = 1.0 Adc, I = 0.1 Adc)  
V
Vdc  
Vdc  
BE(sat)  
1.0  
1.0  
C
B
Base-Emitter On Voltage  
V
BE(on)  
(I = 1.0 Adc, V = 2.0 Vdc)  
C
CE  
DC Current Gain  
h
FE  
220  
200  
100  
(I = 0.5 Adc, V = 1.0 Vdc)  
C
CE  
500  
(I = 1.0 Adc, V = 1.0 Vdc)  
C
CE  
(I = 3.0 Adc, V = 1.0 Vdc)  
C
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
(V = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
CB  
C
pF  
pF  
ob  
25  
Input Capacitance  
C
ib  
170  
215  
(V = 5.0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
EB  
Current-Gain - Bandwidth Product (Note 2)  
f
T
MHz  
(I = 500 mA, V = 10 V, F = 1.0 MHz)  
test  
C
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 2%.  
2. f = |h | f  
T
FE  
test  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
T
C
T
A
0.5  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
T , TEMPERATURE (°C)  
J
Figure 1. Power Derating  
http://onsemi.com  
3
 
NJT4031N  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
600  
500  
400  
300  
200  
700  
V
CE  
= 4 V  
V
CE  
= 1 V  
150°C  
600  
500  
400  
300  
200  
150°C  
25°C  
25°C  
-55°C  
-55°C  
100  
0
100  
0
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 2. DC Current Gain  
Figure 3. DC Current Gain  
1
1
I /I = 10  
C
B
I /I = 50  
150°C  
C
B
150°C  
25°C  
0.1  
-55°C  
25°C  
0.1  
-55°C  
0.01  
0.001  
0.01  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage  
Figure 5. Collector-Emitter Saturation Voltage  
1
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
V
CE  
= 2 V  
-55°C  
I
= 3 A  
C
2 A  
0.1  
25°C  
1 A  
0.5 A  
150°C  
0.2  
0
0.1 A  
0.01  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1.0  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
I , BASE CURRENT (A)  
B
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 6. Collector Saturation Region  
Figure 7. VBE(on) Voltage  
http://onsemi.com  
4
NJT4031N  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
1.4  
1.4  
1.2  
I /I = 10  
I /I = 50  
C B  
C
B
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
-55°C  
-55°C  
25°C  
25°C  
150°C  
150°C  
0.2  
0
0.2  
0
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 8. Base-Emitter Saturation Voltage  
Figure 9. Base-Emitter Saturation Voltage  
450  
100  
80  
T = 25°C  
test  
T = 25°C  
test  
J
J
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
f
= 1 MHz  
f
= 1 MHz  
60  
40  
20  
0
50  
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
V , EMITTER BASE VOLTAGE (V)  
EB  
V , COLLECTOR BASE VOLTAGE (V)  
CB  
Figure 10. Input Capacitance  
Figure 11. Output Capacitance  
240  
200  
160  
120  
80  
10  
1
T = 25°C  
test  
J
f
= 1 MHz  
0.5 ms  
V
CE  
= 10 V  
1 ms  
10 ms  
100 ms  
0.1  
40  
0
0.01  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
1
10  
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)  
100  
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
V
CE  
Figure 12. Current-Gain Bandwidth Product  
Figure 13. Safe Operating Area  
http://onsemi.com  
5
NJT4031N  
PACKAGE DIMENSIONS  
SOT-223 (TO-261)  
CASE 318E-04  
ISSUE L  
NOTES:  
D
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.  
b1  
MILLIMETERS  
INCHES  
NOM  
0.064  
0.002  
0.030  
0.121  
0.012  
0.256  
0.138  
0.091  
0.037  
0.069  
0.276  
-
4
2
DIM  
A
A1  
b
b1  
c
D
E
e
e1  
L1  
MIN  
1.50  
0.02  
0.60  
2.90  
0.24  
6.30  
3.30  
2.20  
0.85  
1.50  
6.70  
0°  
NOM  
1.63  
0.06  
0.75  
3.06  
0.29  
6.50  
3.50  
2.30  
0.94  
1.75  
7.00  
-
MAX  
1.75  
0.10  
0.89  
3.20  
0.35  
6.70  
3.70  
2.40  
1.05  
2.00  
7.30  
10°  
MIN  
0.060  
0.001  
0.024  
0.115  
0.009  
0.249  
0.130  
0.087  
0.033  
0.060  
0.264  
0°  
MAX  
0.068  
0.004  
0.035  
0.126  
0.014  
0.263  
0.145  
0.094  
0.041  
0.078  
0.287  
10°  
H
E
E
1
3
b
e1  
e
H
E
C
q
q
A
0.08 (0003)  
A1  
L1  
SOLDERING FOOTPRINT*  
3.8  
0.15  
2.0  
0.079  
6.3  
0.248  
2.3  
0.091  
2.3  
0.091  
2.0  
0.079  
mm  
inches  
1.5  
0.059  
ǒ
Ǔ
SCALE 6:1  
*For additional information on our Pb-Free strategy and soldering  
details, please download the ON Semiconductor Soldering and  
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
ON Semiconductor and  
are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice  
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability  
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“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All  
operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer's technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights  
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications  
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should  
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,  
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death  
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal  
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.  
PUBLICATION ORDERING INFORMATION  
LITERATURE FULFILLMENT:  
ꢂLiterature Distribution Center for ON Semiconductor  
.PO. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA  
N. American Technical Support: 800-282-9855 Toll Free  
ꢂUSA/Canada  
Europe, Middle East and Africa Technical Support:  
ON Semiconductor Website: www.onsemi.com  
Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit  
Phone: 303-675-2175 or 800-344-3860 Toll Free USA/Canada ꢂPhone: 421 33 790 2910  
For additional information, please contact your local  
Sales Representative  
Fax: 303-675-2176 or 800-344-3867 Toll Free USA/Canada  
Email: orderlit@onsemi.com  
Japan Customer Focus Center  
ꢂPhone: 81-3-5773-3850  
NJT4031N/D  
配单直通车
NJT4031NT1G产品参数
型号:NJT4031NT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:TO-261AA
包装说明:TO-261, 4 PIN
针数:4
制造商包装代码:0.0318
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:7 weeks
风险等级:0.83
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:226609
Samacsys Pin Count:4
Samacsys Part Category:Transistor
Samacsys Package Category:SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name:SOT-223 ST SUFFIX CASE 318E-04 ISSUE N
Samacsys Released Date:2015-08-25 09:52:13
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-261AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):215 MHz
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
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