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NLAS5113DFT2G产品参数
型号:NLAS5113DFT2G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC
包装说明:TSSOP, TSSOP6,.08
针数:6
制造商包装代码:419B-02
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.78
模拟集成电路 - 其他类型:SPST
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
长度:2 mm
正常位置:NO
信道数量:1
功能数量:1
端子数量:6
通态电阻匹配规范:0.4 Ω
最大通态电阻 (Ron):1.3 Ω
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP6,.08
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm
子类别:Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup):4.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.65 V
标称供电电压 (Vsup):4.2 V
表面贴装:YES
切换:BREAK-BEFORE-MAKE
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:1.25 mm
Base Number Matches:1
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