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NLAS5223LMNR2G产品参数
型号:NLAS5223LMNR2G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:QFN
包装说明:VQCCN, LCC10,.06X.07,16
针数:10
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.59
模拟集成电路 - 其他类型:SPDT
JESD-30 代码:R-XQCC-N10
JESD-609代码:e4
长度:1.8 mm
信道数量:1
功能数量:2
端子数量:10
标称断态隔离度:65 dB
通态电阻匹配规范:0.05 Ω
最大通态电阻 (Ron):0.3 Ω
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
输出:SEPARATE OUTPUT
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:VQCCN
封装等效代码:LCC10,.06X.07,16
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8/3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.8 mm
子类别:Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):1.65 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
最长断开时间:30 ns
最长接通时间:50 ns
切换:BREAK-BEFORE-MAKE
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:NO LEAD
端子节距:0.4 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:1.4 mm
Base Number Matches:1
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