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NM27C512N120产品参数
型号:NM27C512N120
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6
针数:28
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.68
Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0
长度:35.942 mm
内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:28
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.334 mm
最大待机电流:0.0001 A
子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mm
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