NMSD200B01-7产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363

详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-363

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V

FET 功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：200mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-363

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

标准包装：3,000

其它名称：NMSD200B017 NMSD200B01DITR NMSD200B01TR NMSD200B01TR-ND