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NMSD200B01-7产品参数

品牌:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-363

制造商:Diodes Incorporated

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 50mA,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V

FET 功能:肖特基二极管(隔离式)

功率耗散(最大值):200mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SOT-363

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装:3,000

其它名称:NMSD200B017 NMSD200B01DITR NMSD200B01TR NMSD200B01TR-ND

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