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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家RENESAS/瑞萨 
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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配单直通车
NP100P06PDG-E1-AY产品参数
型号:NP100P06PDG-E1-AY
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NEC ELECTRONICS CORP
零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.26
雪崩能效等级(Eas):420 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):100 A
最大漏源导通电阻:0.0078 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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