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  • NP160N04TUG-E1-AY图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家Renesas 
  • 封装代理Renesas 
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  • 只做原装公司现货一级代理销售
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  • NP160N04TUG-E1-AY图
  • 集好芯城

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  • NP160N04TUG-E1-AY
  • 数量1068 
  • 厂家Renesas Electronics America 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量37038 
  • 厂家NEC 
  • 封装TO263 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
  • QQ:1002316308QQ:515102657
  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
  • NP160N04TUG-E1-AY图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • NP160N04TUG-E1-AY
  • 数量78800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-263-7 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
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NP160N04TUG-E1-AY产品参数
型号:NP160N04TUG-E1-AY
是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NEC ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TO-263
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
针数:7
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.26
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):372 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):160 A
最大漏源导通电阻:0.002 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G6
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):640 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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