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| 型号: | NPDS5566 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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