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  • NSBC114YPDXV6T5G图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
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  • 封装SOT-563-6 
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NSBC114YPDXV6T5G产品参数
型号:NSBC114YPDXV6T5G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:6
制造商包装代码:463A-01
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.24
Is Samacsys:N
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):80
JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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