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| 型号: | NSS20200DMTTBG |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | WDFN-6 |
| 制造商包装代码： | 506AN |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 43 weeks 1 day |
| 风险等级： | 5.75 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N6 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 2.1 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.1 W |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 155 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.39 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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