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  • 北京首天国际有限公司

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NSS40300DDR2G产品参数
型号:NSS40300DDR2G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SOIC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
制造商包装代码:751-07
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:1.29
最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):150
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.783 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
最大关闭时间(toff):530 ns
最大开启时间(吨):180 ns
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