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| 型号: | NSTB60BDW1T1 |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | CASE 419B-02, 6 PIN |
| 针数： | 6 |
| 制造商包装代码： | 419B-02 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
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