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| 型号: | NSVBC114YPDXV6T1G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 制造商包装代码： | 463A-01 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 17 weeks |
| 风险等级： | 5.8 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 4.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.25 V |
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