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  • ★专业经营贴片二,三极管,桥堆★★现货低价抛售★
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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 现货实库存不止量大以电话为准
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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品全新深圳进口现货,优质渠道供应商!
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 封装SC75-3 
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市恒益昌科技有限公司

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  • 深圳市福田区恒科电子商行

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  • 封装SC75-3 
  • 批号23+ 
  • 原装现货实单可谈样品可出
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  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装SOT-523 
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量15280 
  • 厂家ON 
  • 封装SC75-3 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量9328 
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  • 封装SOT-416 
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  • 封装SC-75-3 
  • 批号21+ 
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产品型号NTA4151PT1G的概述

NTA4151PT1G概述 NTA4151PT1G是一款高效的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子电路中。其设计旨在提供优异的开关特性和最低的导通电阻,使得NTA4151PT1G非常适合用在高频、高效率的应用环境中。它的结构和材料使得它能够在不同的工作条件下维持高效的性能,因而被广泛应用于电源管理、开关电源以及其他功率控制电路。 NTA4151PT1G的详细参数 NTA4151PT1G的主要技术参数包括但不限于: - 最大漏极-源极电压(VDS):30V - 最大漏极电流(ID):8A - 导通电阻(RDS(on)):25mΩ(在VGS = 10V时) - 栅源电压(VGS):±20V - 功率耗散(PD):45W - 切换速度:响应极快,适用于高频应用 - 工作温度范围:-55°C至+150°C - 封装:SOT-223 这些参数表明,NTA4151PT1G能...

产品型号NTA4151PT1G的Datasheet PDF文件预览

NTA4151P, NTE4151P  
Small Signal MOSFET  
−20 V, 760 mA, Single P−Channel,  
Gate Zener, SC−75, SC−89  
Features  
http://onsemi.com  
Low R  
for Higher Efficiency and Longer Battery Life  
DS(on)  
V
R
TYP  
I MAX  
D
Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm)  
SC−75 Standard Gullwing Package  
ESD Protected Gate  
(BR)DSS  
DS(on)  
0.26 W @ −4.5 V  
0.35 W @ −2.5 V  
0.49 W @ −1.8 V  
−20 V  
−760 mA  
Pb−Free Packages are Available  
Applications  
High Side Load Switch  
DC−DC Conversion  
Small Drive Circuits  
P−Channel MOSFET  
D
Battery Operated Systems such as Cell Phones, PDAs, Digital  
Cameras, etc.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
V
−20  
6.0  
V
V
DSS  
S
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain Current  
(Note 1)  
Steady State  
I
−760  
mA  
D
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Power Dissipation (Note 1)  
P
mW  
D
3
SC−75  
SC−89  
301  
313  
Steady State  
2
Pulsed Drain Current  
tp =10 ms  
I
1000  
mA  
DM  
3
1
Drain  
SC−75 / SOT−416  
CASE 463  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
T
STG  
STYLE 5  
xx M G  
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
−250  
260  
mA  
S
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8 in from case for 10 s)  
°C  
T
3
L
2
1
2
1
Gate−to−Source ESD Rating −  
ESD  
1800  
V
Source  
Gate  
(Human Body Model, Method 3015)  
SC−89  
CASE 463C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
q
JA  
°C/W  
SC−75  
SC−89  
415  
400  
xx  
M
G
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[1 oz] including traces).  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
September, 2006 − Rev. 5  
NTA4151P/D  
 
NTA4151P, NTE4151P  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate−to−Source Leakage Current  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
Gate Threshold Voltage  
V
V
= 0 V, I = −250 mA  
−20  
V
(BR)DSS  
GS  
D
I
I
V
= 0 V, V = −16 V  
−1.0  
−100  
nA  
mA  
DSS  
GS  
DS  
DS  
V
= 0 V, V  
=
4.5 V  
$1.0  
$10  
GSS  
GS  
V
V
= V , I = −250 mA  
−0.45  
V
GS(TH)  
DS  
GS  
D
Drain−to−Source On Resistance  
R
V
= −4.5 V, I = −350 mA  
0.26  
0.35  
0.49  
0.4  
0.36  
0.45  
1.0  
W
DS(on)  
GS  
GS  
GS  
D
V
V
= −2.5 V, I = −300 mA  
D
= −1.8 V, I = −150 mA  
D
Forward Transconductance  
CHARGES AND CAPACITANCES  
Input Capacitance  
g
FS  
V
= −10 V, I = −250 mA  
S
DS  
D
C
V
= 0 V, f = 1.0 MHz,  
GS  
156  
28  
pF  
ISS  
V
= −5.0 V  
DS  
Output Capacitance  
C
OSS  
RSS  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
C
18  
Q
V
= −4.5 V, V = −10 V,  
2.1  
nC  
ns  
V
G(TOT)  
GS  
DD  
= −0.3 A  
I
D
Threshold Gate Charge  
Gate−to−Source Charge  
Gate−to−Drain Charge  
Q
0.125  
0.325  
0.5  
G(TH)  
Q
GS  
Q
GD  
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)  
Turn−On Delay Time  
Rise Time  
td  
V
= −4.5 V, V = −10 V,  
8.0  
8.2  
(ON)  
GS  
DD  
I
= −200 mA, R = 10 W  
D
G
t
r
Turn−Off Delay Time  
Fall Time  
td  
29  
(OFF)  
t
20.4  
f
DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
Forward Diode Voltage  
V
V
= 0 V, I = −250 mA  
−0.72  
−1.1  
SD  
GS  
S
2. Pulse Test: pulse width 300 ms, duty cycle 2%.  
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Marking  
TN  
Package  
Shipping  
NTA4151PT1  
SC−75  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
NTA4151PT1G  
TN  
SC−75  
(Pb−Free)  
NTE4151PT1G  
TM  
SC−89  
(Pb−Free)  
3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging  
Specifications Brochure, BRD8011/D.  
http://onsemi.com  
2
 
NTA4151P, NTE4151P  
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
0.6  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
V
w −10 V  
T = 25°C  
DS  
J
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
−1.5 V  
= −1.75 V to −4.5 V  
V
GS  
−1.25 V  
T = 25°C  
J
T = 125°C  
J
−1.0 V  
2.5  
T = −55°C  
J
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
3.0  
−V , DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
DS  
−V , GATE−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
GS  
Figure 1. On−Region Characteristics  
Figure 2. Transfer Characteristics  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
V
= −2.5 V  
V
= −4.5 V  
GS  
GS  
T = 125°C  
J
T = 125°C  
J
T = 25°C  
J
T = 25°C  
J
T = −55°C  
J
T = −55°C  
J
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
−I DRAIN CURRENT (AMPS)  
D,  
−I DRAIN CURRENT (AMPS)  
D,  
Figure 3. On−Resistance vs. Drain Current and  
Temperature  
Figure 4. On−Resistance vs. Drain Current and  
Temperature  
1.6  
250  
200  
150  
100  
50  
I
V
= − 0.35 A  
T = 25°C  
J
D
= −4.5 V  
GS  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
C
ISS  
C
OSS  
C
RSS  
0
−50 −25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
4
8
12  
16  
20  
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
J
DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
Figure 5. On−Resistance Variation with  
Temperature  
Figure 6. Capacitance Variation  
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3
NTA4151P, NTE4151P  
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
0.7  
5
4
3
2
Q
V
= 0 V  
T
GS  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
Q
Q
GD  
GS  
T = 125°C  
J
V
= −10 V  
= −0.3 A  
DS  
1
0
I
D
T = 25°C  
J
T = 25°C  
A
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
2.0  
2.4  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
Q , TOTAL GATE CHARGE (nC)  
G
−V , SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (VOLTS)  
SD  
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current  
Figure 7. Gate−to−Source Voltage vs. Total  
Gate Charge  
1.0  
0.1  
D = 0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.01  
SINGLE PULSE  
0.001  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1.0  
10  
100  
1000  
t, TIME (s)  
Figure 9. Normalized Thermal Response  
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4
NTA4151P, NTE4151P  
PACKAGE DIMENSIONS  
SC−75/SOT−416  
CASE 463−01  
ISSUE F  
NOTES:  
−E−  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.  
2
MILLIMETERS  
DIM MIN NOM MAX MIN  
0.70  
A1 0.00  
INCHES  
NOM MAX  
3
e
−D−  
A
0.80  
0.05  
0.90 0.027 0.031 0.035  
0.10 0.000 0.002 0.004  
0.30 0.006 0.008 0.012  
0.25 0.004 0.006 0.010  
1.65 0.059 0.063 0.067  
0.90 0.027 0.031 0.035  
0.04 BSC  
1
b 3 PL  
0.20 (0.008)  
b
C
D
E
e
0.15  
0.10  
1.55  
0.70  
0.20  
0.15  
1.60  
0.80  
1.00 BSC  
0.15  
1.60  
M
D
0.20 (0.008) E  
H
E
L
0.10  
1.50  
0.20 0.004 0.006 0.008  
1.70 0.061 0.063 0.065  
H
E
STYLE 5:  
PIN 1. GATE  
2. SOURCE  
3. DRAIN  
C
A
L
A1  
SOLDERING FOOTPRINT*  
0.356  
0.014  
1.803  
0.071  
0.787  
0.031  
0.508  
0.020  
1.000  
0.039  
mm  
inches  
ǒ
Ǔ
SCALE 10:1  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering  
details, please download the ON Semiconductor Soldering and  
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
http://onsemi.com  
5
NTA4151P, NTE4151P  
SC−89, 3 LEAD  
CASE 463C−03  
ISSUE C  
A
−X−  
NOTES:  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS  
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD  
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS  
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE  
MATERIAL.  
3
S
B
−Y−  
1
2
4. 463C−01 OBSOLETE, NEW STANDARD 463C−02.  
K
MILLIMETERS  
DIM MIN NOM MAX  
INCHES  
MIN NOM MAX  
G
2 PL  
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
N
S
1.50  
0.75  
0.60  
0.23  
1.60  
0.85  
0.70  
1.70 0.059 0.063 0.067  
0.95 0.030 0.034 0.040  
0.80 0.024 0.028 0.031  
0.33 0.009 0.011 0.013  
0.020 BSC  
3 PL  
D
M
0.08 (0.003)  
X Y  
0.28  
0.50 BSC  
0.53 REF  
0.15  
0.40  
1.10 REF  
−−−  
0.021 REF  
0.10  
0.30  
0.20 0.004 0.006 0.008  
0.50 0.012 0.016 0.020  
0.043 REF  
−−−  
−−−  
1.50  
10  
10  
−−−  
−−−  
−−−  
−−−  
10  
10  
_
_
_
_
N
M
−−−  
J
1.60  
1.70 0.059 0.063 0.067  
C
SEATING  
PLANE  
−T−  
SOLDERING FOOTPRINT*  
H
H
L
G
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering  
details, please download the ON Semiconductor Soldering and  
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
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are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice  
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PUBLICATION ORDERING INFORMATION  
LITERATURE FULFILLMENT:  
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free  
USA/Canada  
Europe, Middle East and Africa Technical Support:  
Phone: 421 33 790 2910  
Japan Customer Focus Center  
Phone: 81−3−5773−3850  
ON Semiconductor Website: www.onsemi.com  
Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit  
Literature Distribution Center for ON Semiconductor  
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Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada  
Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada  
Email: orderlit@onsemi.com  
For additional information, please contact your local  
Sales Representative  
NTA4151P/D  
配单直通车
NTA4151PT1G产品参数
型号:NTA4151PT1G
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:SC-75
包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 463-01, SC-75, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:CASE 463-01
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.19
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):0.76 A
最大漏源导通电阻:0.36 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
  •  
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  • 数量*
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