欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
所在地: 型号: 精确
  • 批量询价
  •  
  • 供应商
  • 型号
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
更多
  • NTB85N03图
  • 集好芯城

     该会员已使用本站12年以上
  • NTB85N03
  • 数量1068 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装 
  • 批号最新批次 
  • 原厂原装公司现货
  • QQ:3008092965QQ:3008092965
  • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
  • NTB85N03G图
  • 集好芯城

     该会员已使用本站10年以上
  • NTB85N03G
  • 数量17193 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装D2PAK3LEAD 
  • 批号最新批次 
  • 原装原厂 现货现卖
  • QQ:3008092969QQ:3008092969
  • 18188616613 QQ:3008092969QQ:3008092969
  • NTB85N03图
  • 集好芯城

     该会员已使用本站12年以上
  • NTB85N03
  • 数量12599 
  • 厂家ON 
  • 封装TO-263 
  • 批号最新批次 
  • 原厂原装 现货现卖
  • QQ:2880133232QQ:2880133232
  • 0755-83202411 QQ:2880133232QQ:2880133232
  • NTB85N03图
  • 集好芯城

     该会员已使用本站12年以上
  • NTB85N03
  • 数量12599 
  • 厂家ON 
  • 封装TO-263 
  • 批号最新批次 
  • 原厂原装 现货现卖
  • QQ:3008092918QQ:3008092918
  • 0755-83201437 QQ:3008092918QQ:3008092918
  • NTB85N03图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • NTB85N03
  • 数量13500 
  • 厂家ON 
  • 封装 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
  • QQ:1002316308QQ:515102657
  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
  • NTB85N03图
  • 深圳市港禾科技有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • NTB85N03
  • 数量154836 
  • 厂家IXYS/艾赛斯 
  • 封装TO-220AC 
  • 批号22+ 
  • 终端可以免费供样,支持BOM配单!
  • QQ:834789903
  • 13827440832 QQ:834789903
  • NTB85N03T4G图
  • 深圳市晶美隆科技有限公司

     该会员已使用本站14年以上
  • NTB85N03T4G
  • 数量19800 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装TO-263 
  • 批号22+ 
  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
  • QQ:2885393495
  • 0755-82865294 QQ:2885393495
  • NTB85N03G图
  • 深圳市宇集芯电子有限公司

     该会员已使用本站5年以上
  • NTB85N03G
  • 数量99000 
  • 厂家ONS 
  • 封装TO-263 
  • 批号23+ 
  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
  • QQ:1157099927QQ:2039672975
  • 0755-2870-8773手机微信同号13430772257 QQ:1157099927QQ:2039672975

    NTB85N03相关文章

配单直通车
NTB85N03产品参数
型号:NTB85N03
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:CASE 418AA-01, D2PAK-3
针数:3
制造商包装代码:CASE 418AA-01
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
雪崩能效等级(Eas):61 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):85 A
最大漏极电流 (ID):15 A
最大漏源导通电阻:0.0068 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):235
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):45 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
  •  
  • 供货商
  • 型号*
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。