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NTD3055L104产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):104 毫欧 @ 6A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 5V

Vgs(最大值):±15V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):440pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.5W(Ta),48W(Tj)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:75

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