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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-252-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • NTD4302-001
  • 数量28998 
  • 厂家ON 
  • 封装DPAK 3 (SINGLE GAUGE 
  • 批号2020+ 
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  • QQ:1220223788QQ:1327510916
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • NTD4302-001
  • 数量7100 
  • 厂家ON 
  • 封装原厂封装 
  • 批号22+ 
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  • QQ:1686616797QQ:2440138151
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • NTD4302-001
  • 数量660000 
  • 厂家ON Semiconductor(安森美) 
  • 封装
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
  • QQ:3008961398
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  • NTD4302-001G图
  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • NTD4302-001G
  • 数量6680 
  • 厂家VBSEMI/台湾微碧 
  • 封装TO251 
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  • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • NTD4302-001
  • 数量22358 
  • 厂家ON 
  • 封装DPAK3 (SINGLE GAUGE) 
  • 批号22+ 
  • 房间现货,价格优势。
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 数量23000 
  • 厂家ON 
  • 封装DPAK 3 (SINGLE GAUGE 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装TO-252-3 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • NTD4302-001G
  • 数量78800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-251-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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配单直通车
NTD4302-001产品参数
型号:NTD4302-001
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:CASE 369D-01, DPAK-3
针数:3
制造商包装代码:CASE 369D-01
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.14
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):722 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8.4 A
最大漏极电流 (ID):8.4 A
最大漏源导通电阻:0.01 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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