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NTD4863N-1G产品参数
型号:NTD4863N-1G
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
包装说明:LEAD FREE, CASE 369D-01, IPAK-3
针数:3
制造商包装代码:CASE 369D-01
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.32
雪崩能效等级(Eas):60.5 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (ID):9.2 A
最大漏源导通电阻:0.014 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):98 A
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO
端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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