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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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NTD70N03R-001产品参数
型号:NTD70N03R-001
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
包装说明:CASE 369AA-01, DPAK-3
针数:3
制造商包装代码:CASE 369AA-01
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.14
雪崩能效等级(Eas):71.7 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (ID):32 A
最大漏源导通电阻:0.013 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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