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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市一呈科技有限公司

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  • ▉原装正品▉力挺实单可含税可拆样
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SC-89-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥4.5元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市福田区恒科电子商行

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SC-89 
  • 批号23+ 
  • 原装现货实单可谈样品可出
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 厂家ON 
  • 封装SC-89-3 
  • 批号23+ 
  • 原装正品现货,郑重承诺只做原装!
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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 数量50000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装NA 
  • 批号24+ 
  • 公司原装现货可含税!假一罚十!BCW61C
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  • 深圳市巨辉通科技有限公司

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  • 数量362652 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-523 
  • 批号2019+ 
  • 专业代理MOS管,原装现货.特价供应.
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 数量15000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 数量5800 
  • 厂家ON 
  • 封装SC-89 
  • 批号2024+ 
  • 全新原装现货,杜绝假货。
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  • 数量22000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-523 
  • 批号23+ 
  • 只做原装现货假一罚十
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装▊原厂封装▊ 
  • 批号▊ROHS环保▊ 
  • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家Vishay Semiconductors 
  • 封装贴/插片 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量85000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SC-89 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 0755-23605827 QQ:2881495753
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 数量46000 
  • 厂家一级代理 
  • 封装一级代理 
  • 批号一级代理 
  • 一级代理正品采购
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    QQ:3007226849QQ:3007226849 复制
  • 0755-82542579 QQ:3007226851QQ:3007226849
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家Bychip/百域芯 
  • 封装SC-89 
  • 批号24+ 
  • 优势供应 品质保障 可开13点发票
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  • 0755-23616725 QQ:2885648621
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  • 毅创腾(集团)有限公司

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  • 数量79719 
  • 厂家ON 
  • 封装SC-75 
  • 批号22+ 
  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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    QQ:2355507168QQ:2355507168 复制
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量13500 
  • 厂家ON 
  • 封装SC75-3 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
  • QQ:1002316308QQ:1002316308 复制
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  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 数量42000 
  • 厂家ON 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 数量9000 
  • 厂家ON 
  • 封装SC-89 
  • 批号2021+ 
  • 现货实库存不止量大以电话为准
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家ON 
  • 封装SC-89-3 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市龙腾新业科技有限公司

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  • 数量13497 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SC89 
  • 批号24+ 
  • 原装原厂 现货现卖
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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 数量1580 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装SC-89-3 
  • 批号最新批号 
  • 全新原装假一贴十!
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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 数量35500 
  • 厂家ON 
  • 封装SC75-3 
  • 批号23+ 
  • 现货只售原厂原装可含13%税
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 数量25048 
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  • 封装N/A 
  • 批号23+ 
  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量65000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SC-89-3 
  • 批号21+ 
  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 北京云中青城科技有限公司

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  • 数量6000 
  • 厂家ON 
  • 封装SC-89 
  • 批号20+ 
  • 只做原装.诚信经营
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  • 千层芯半导体(深圳)有限公司

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  • 数量12000 
  • 厂家ON 
  • 封装SMD 
  • 批号2017+ 
  • 原厂/代理渠道价格优势
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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • NTE4153NT1G
  • 数量58002 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT523 
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  • 主营品牌,价格优势,欢迎来询!!!
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 数量6760 
  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装N/A 
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  • 只做原装 实单来谈★★☆
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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 数量20759 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-523 
  • 批号24+ 
  • 全新现货可以开税票TLP352(TP1
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产品型号NTE4153NT1G的概述

NTE4153NT1G芯片的概述与参数分析 一、NTE4153NT1G芯片概述 NTE4153NT1G是一款高性能的双路运算放大器,广泛应用于各种电子设备和系统中。该芯片以其低噪声、高带宽和优良的线性度,在音频处理、信号调理和传感器接口中表现出色。NTE4153NT1G是多种应用中的理想选择,特别是在需要精确信号放大和处理的场合。 运算放大器通用性强,常用于比较器、信号调理和滤波等功能。NTE4153NT1G的设计重点是实现低功耗和高增益特性,使其在现代电子产品中更具吸引力。 二、NTE4153NT1G详细参数 NTE4153NT1G的关键性能参数如下: - 供电电压:最低为 ±2V,最高可以达到 ±18V。 - 增益带宽积:通常约为 1MHz,这使得其在高频应用中也能保持稳定表现。 - 输入失调电压:最大输入失调电压为 3mV,保证了较高的精度要求。 - 输入阻抗:在不同情况下,输...

产品型号NTE4153NT1G的Datasheet PDF文件预览

NTA4153N, NTE4153N  
Small Signal MOSFET  
20 V, 915 mA, Single N−Channel  
with ESD Protection, SC−75 and SC−89  
Features  
http://onsemi.com  
Low R  
Improving System Efficiency  
DS(on)  
Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated  
ESD Protected Gate  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
0.127 W @ 4.5 V  
0.170 W @ 2.5 V  
0.242 W @ 1.8 V  
0.500 W @ 1.5 V  
Pb−Free Packages are Available  
20 V  
915 mA  
Applications  
Load/Power Switches  
Power Supply Converter Circuits  
Battery Management  
3
N−Channel MOSFET  
Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
V
20  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
6.0  
1
GS  
2
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
I
915  
660  
300  
mA  
A
D
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
State  
T = 85°C  
A
3
3
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady State  
P
mW  
D
3
SC−75 / SOT−416  
CASE 463  
Drain  
2
2
Pulsed Drain Current  
t =10 ms  
p
I
1.3  
A
DM  
1
1
STYLE 5  
XX MG  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
T
G
SC−89  
CASE 463C  
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
280  
260  
mA  
S
1
2
Gate Source  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
L
XX  
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
M
G
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value Units  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
q
JA  
°C/W  
SC−75 / SOT−416  
SC−89  
416  
400  
SC−75, SC−89  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Gate  
1
2
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
3
Drain  
Source  
Top View  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
March, 2007 − Rev. 5  
NTA4153N/D  
 
NTA4153N, NTE4153N  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
V
V
= 0 V, I = 250 mA  
20  
26  
V
(BR)DSS  
GS  
D
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
Temperature Coefficient  
V
/T  
(BR)DSS  
18.4  
mV/°C  
J
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate−to−Source Leakage Current  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
Gate Threshold Voltage  
I
I
V
= 0 V, V = 16 V  
100  
1.0  
nA  
DSS  
GS  
DS  
V
= 0 V, V  
=
4.5 V  
mA  
GSS  
DS  
GS  
V
V
= V , I = 250 mA  
0.45  
0.76  
1.1  
V
GS(TH)  
GS  
DS  
D
Negative Threshold Temperature  
Coefficient  
V
/T  
GS(TH)  
−2.15  
mV/°C  
J
Drain−to−Source On Resistance  
R
V
= 4.5 V, I = 600 mA  
127  
170  
242  
500  
1.4  
230  
275  
mW  
DS(on)  
GS  
GS  
GS  
D
V
V
= 2.5 V, I = 500 mA  
D
= 1.8 V, I = 350 mA  
700  
D
V
= 1.5 V, I = 40 mA  
9500  
GS  
D
Forward Transconductance  
CHARGES AND CAPACITANCES  
Input Capacitance  
g
FS  
V
= 10 V, I = 400 mA  
S
DS  
D
C
110  
16  
pF  
ISS  
V
= 0 V, f = 1.0 MHz,  
GS  
Output Capacitance  
C
C
OSS  
RSS  
V
= 16 V  
DS  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
12  
Q
1.82  
0.2  
0.3  
0.42  
nC  
ns  
V
G(TOT)  
Threshold Gate Charge  
Gate−to−Source Charge  
Gate−to−Drain Charge  
Q
G(TH)  
V
= 4.5 V, V = 10 V,  
DS  
GS  
I
= 0.2 A  
D
Q
GS  
GD  
Q
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)  
Turn−On Delay Time  
Rise Time  
t
3.7  
4.4  
25  
d(ON)  
t
r
V
V
= 4.5 V, V = 10 V,  
DD  
GS  
I
= 0.2 A, R = 10 W  
D
G
Turn−Off Delay Time  
Fall Time  
t
d(OFF)  
t
7.6  
f
DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
Forward Diode Voltage  
V
T = 25°C  
J
0.67  
0.54  
1.1  
SD  
= 0 V,  
GS  
I = 200 mA  
S
T = 125°C  
J
2. Pulse Test: pulse width 300ms, duty cycle 2%.  
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.  
ORDERING INFORMATION  
Marking  
(XX)  
Device  
Package  
Shipping  
NTA4153NT1  
TR  
SC−75 / SOT−416  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
NTA4153NT1G  
TR  
SC−75 / SOT−416  
(Pb−Free)  
NTE4153NT1G  
TP  
SC−89  
(Pb−Free)  
3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging  
Specifications Brochure, BRD8011/D.  
http://onsemi.com  
2
 
NTA4153N, NTE4153N  
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
1.2  
V
w 10 V  
2.0 V  
DS  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
V
= 2.6 V to 5.0 V  
GS  
1.8 V  
1.6 V  
T = 25°C  
J
T = 125°C  
J
T = −55°C  
1.4 V  
3.5  
J
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
4.0  
V
, GATE−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
GS  
V
, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
DS  
Figure 1. On−Region Characteristics  
Figure 2. Transfer Characteristics  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
V
= 2.5 V  
V
= 4.5 V  
GS  
GS  
T = 125°C  
J
T = 125°C  
J
T = 25°C  
J
T = 25°C  
J
T = −55°C  
J
T = −55°C  
J
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
0
0.1  
0.2  
I DRAIN CURRENT (AMPS)  
D,  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
I
DRAIN CURRENT (AMPS)  
D,  
Figure 3. On−Resistance vs. Drain Current and  
Temperature  
Figure 4. On−Resistance vs. Drain Current and  
Temperature  
1.6  
200  
160  
120  
80  
I
V
= 0.35 A  
= 4.5 V  
T = 25°C  
D
J
V
= 0 V  
GS  
GS  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
C
ISS  
C
OSS  
40  
C
RSS  
0
−50 −25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
4
8
12  
16  
20  
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
J
DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
Figure 5. On−Resistance Variation with  
Temperature  
Figure 6. Capacitance Variation  
http://onsemi.com  
3
NTA4153N, NTE4153N  
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
0.6  
5
4
3
2
Q
V
= 0 V  
T
GS  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
Q
Q
GS  
GD  
T = 125°C  
J
I
= 0.2 A  
D
1
0
T = 25°C  
A
T = 25°C  
J
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
Q , TOTAL GATE CHARGE (nC)  
G
V
, SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (VOLTS)  
SD  
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current  
Figure 7. Gate−to−Source Voltage vs. Total  
Gate Charge  
1.0  
D = 0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.01  
SINGLE PULSE  
0.001  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1.0  
10  
100  
1000  
t, TIME (s)  
Figure 9. Normalized Thermal Response  
http://onsemi.com  
4
NTA4153N, NTE4153N  
PACKAGE DIMENSIONS  
SC−75/SOT−416  
CASE 463−01  
ISSUE F  
NOTES:  
−E−  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.  
2
MILLIMETERS  
DIM MIN NOM MAX MIN  
0.70  
A1 0.00  
INCHES  
NOM MAX  
3
e
−D−  
A
0.80  
0.05  
0.90 0.027 0.031 0.035  
0.10 0.000 0.002 0.004  
0.30 0.006 0.008 0.012  
0.25 0.004 0.006 0.010  
1.65 0.059 0.063 0.067  
0.90 0.027 0.031 0.035  
0.04 BSC  
1
b 3 PL  
0.20 (0.008)  
b
C
D
E
e
0.15  
0.10  
1.55  
0.70  
0.20  
0.15  
1.60  
0.80  
1.00 BSC  
0.15  
1.60  
M
D
0.20 (0.008) E  
H
E
L
0.10  
1.50  
0.20 0.004 0.006 0.008  
1.70 0.061 0.063 0.065  
H
E
STYLE 5:  
PIN 1. GATE  
2. SOURCE  
3. DRAIN  
C
A
L
A1  
SOLDERING FOOTPRINT*  
0.356  
0.014  
1.803  
0.071  
0.787  
0.031  
0.508  
0.020  
1.000  
0.039  
mm  
inches  
ǒ
Ǔ
SCALE 10:1  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering  
details, please download the ON Semiconductor Soldering and  
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
http://onsemi.com  
5
NTA4153N, NTE4153N  
PACKAGE DIMENSIONS  
SC−89  
CASE 463C−03  
ISSUE C  
NOTES:  
A
−X−  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS  
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD  
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS  
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE  
MATERIAL.  
3
S
B
−Y−  
1
2
4. 463C−01 OBSOLETE, NEW STANDARD 463C−02.  
K
MILLIMETERS  
DIM MIN NOM MAX  
INCHES  
MIN NOM MAX  
G
2 PL  
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
N
S
1.50  
0.75  
0.60  
0.23  
1.60  
0.85  
0.70  
1.70 0.059 0.063 0.067  
0.95 0.030 0.034 0.040  
0.80 0.024 0.028 0.031  
0.33 0.009 0.011 0.013  
0.020 BSC  
3 PL  
D
0.28  
M
0.08 (0.003)  
X Y  
0.50 BSC  
0.53 REF  
0.15  
0.40  
1.10 REF  
−−−  
0.021 REF  
0.10  
0.30  
0.20 0.004 0.006 0.008  
0.50 0.012 0.016 0.020  
0.043 REF  
−−−  
−−−  
1.50  
10  
10  
−−−  
−−−  
−−−  
−−−  
10  
10  
_
_
−−−  
1.60  
_
_
N
M
1.70 0.059 0.063 0.067  
J
C
SEATING  
PLANE  
−T−  
SOLDERING FOOTPRINT*  
0.53  
0.020  
1.10  
0.043  
0.53  
0.020  
1.00  
0.039  
mm  
inches  
ǒ
Ǔ
SCALE 10:1  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering  
details, please download the ON Semiconductor Soldering and  
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
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to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability  
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Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,  
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PUBLICATION ORDERING INFORMATION  
LITERATURE FULFILLMENT:  
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free  
USA/Canada  
Europe, Middle East and Africa Technical Support:  
Phone: 421 33 790 2910  
Japan Customer Focus Center  
Phone: 81−3−5773−3850  
ON Semiconductor Website: www.onsemi.com  
Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit  
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P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA  
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Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada  
Email: orderlit@onsemi.com  
For additional information, please contact your local  
Sales Representative  
NTA4153N/D  
配单直通车
NTE4153NT1G产品参数
型号:NTE4153NT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
零件包装代码:SC-89
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3
制造商包装代码:463C-02
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:9 weeks
风险等级:0.73
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.915 A
最大漏极电流 (ID):0.915 A
最大漏源导通电阻:0.23 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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