NTHD2102PT1产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：8V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.4A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：58 毫欧 @ 3.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：16nC @ 2.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：715pF @ 6.4V

功率 - 最大值：1.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：ChipFET™

基本零件编号：NTHD2102P

标准包装：3,000

其它名称：NTHD2102PT1OS

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）