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NTJD4105CT1产品参数
型号:NTJD4105CT1
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-88
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
制造商包装代码:CASE 419B-02
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.3
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.63 A
最大漏极电流 (ID):0.63 A
最大漏源导通电阻:0.375 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):5 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e0
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.55 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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