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  • NTK135/16A图
  • 深圳市领航达电子有限公司

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  • 北京创易科技有限公司

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  • 上海硅威科技有限公司

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  • NTK135/16A图
  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 封装5000 
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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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配单直通车
NTK3043NT1G产品参数
型号:NTK3043NT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3
制造商包装代码:631AA
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.71
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.255 A
最大漏极电流 (ID):0.21 A
最大漏源导通电阻:3.8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.545 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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