NTLJD3119CTBG芯片概述
NTLJD3119CTBG是一款广泛应用于现代电子设备中的低压双路逻辑电平转换器,属于Nexperia公司所生产。这款芯片专为高效、可靠的信号传递而设计,能够在多种应用环境中提供稳定的性能。NTLJD3119CTBG的主要功能是将高电压级别(如5V)转换为低电压级别(如3.3V),反之亦然,尤其在使用不同电压逻辑组件时保证系统的完整性。
芯片详细参数
NTLJD3119CTBG的主要电气特性包括:
- 工作电源电压范围:2.0 V至5.5 V - 工作温度范围:-40 ℃至125 ℃ - 输入逻辑电平范围:高电平(VIH):≥ 2.0 V,低电平(VIL):≤ 0.7 V - 输出逻辑电平范围:高电平(VOH):最小值在VCC下为0.9 VCC,低电平(VOL):最多为0.1 VCC - 典型输入电流: < 1uA(静态状态) - 逻辑门延迟时间:最大约为10ns - 引脚数:8个(SO8封装)
厂家、包装与封装
NTLJD3119CTBG由Nexperia公司制造,Nexperia成立于2017年,是半导体行业的重要参与者,专注于生产高可靠性的分立式与集成电路。这款芯片主要以SO8封装形式提供,常见的包装方式为带卷纸带(Tape and Reel)和管装(Tube),方便在不同的生产和制造环境中使用。SO8封装具备紧凑的空间设计,非常适合于空间有限的电子产品。
引脚说明和电路图
NTLJD3119CTBG的引脚排列如图所示。该芯片有8个引脚,具体引脚功能如下:
1. 引脚1 (A1):输入引脚1 2. 引脚2 (A2):输入引脚2 3. 引脚3 (GND):接地引脚 4. 引脚4 (VCC):电源引脚(提供高电压电源) 5. 引脚5 (B1):输出引脚1(低电压输出) 6. 引脚6 (B2):输出引脚2(低电压输出) 7. 引脚7 (NC):未连接引脚(可以忽略) 8. 引脚8 (GND):额外接地引脚
典型电路图如下所示,描绘了如何连接NTLJD3119CTBG芯片以实现电平转换。高电压逻辑信号输入到A1和A2,引脚通过连接到VCC与GND,形成稳定的IVO电平信号在B1和B2输出。
使用案例
在不同的应用中,NTLJD3119CTBG的实践案例表现得尤为突出。下面介绍几个具体的应用场景。
#### 1. 嵌入式系统 在嵌入式系统设计中,NTLJD3119CTBG可被用于连接5V的微控制器与3.3V的传感器。因为传感器工作在3.3V下,使用NTLJD3119CTBG可确保信号正确传递,同时避免高电压对低电压设备的损坏。
#### 2. 家庭自动化设备 在家庭自动化应用中,智能家居设备常常涉及不同电压逻辑的微控制器。当一个智能传感器采用5V逻辑工作,与使用3.3V逻辑的实时监控系统进行通信时,NTLJD3119CTBG则提供了一个可靠的电平转换解决方案。
#### 3. 移动设备 移动设备常使用多种电源供应和信号逻辑。譬如在某一款智能手机中,当外部设备通过USB接口与手机相连时,内部逻辑电路可能工作在3.3V的环境,而USB信号电平为5V,通过NTLJD3119CTBG进行有效的电平匹配,防止可能的信号干扰和信息丢失。
#### 4. 机器人控制系统 在现代机器人控制系统中,驱动模块和传感器可能面临电平不匹配的问题。为确保机器人各部分之间的顺利通信,NTLJD3119CTBG可用于实现运动控制系统与反馈传感器之间的逻辑电平转换,从而保证机器人翻转、移动和定位等功能得以顺利实施。
#### 5. 计算机外设 在连接不同外设例如键盘、鼠标等时,NTLJD3119CTBG确保各个设备的数据输入和输出电平相一致。当一个3.3V电平的微控制器需与5V的USB接口通信时,这个芯片的应用便可确保数据流动的稳定。
NTLJD3119CTBG在多种电子平台上的应用表明了其在电平转换方面无可比拟的性能,成为了现代电子设计中不可或缺的组成部分。这款芯片不仅满足了技术规格要求,还通过其高度的灵活性和适用性,吸引了众多设计工程师的青睐。
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型号: | NTLJD3119CTBG |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | ROCHESTER ELECTRONICS LLC |
零件包装代码: | DFN |
包装说明: | 2 X 2 MM, LEAD FREE, CASE 506AN-01, WDFN-6 |
针数: | 6 |
制造商包装代码: | CASE 506AN-01 |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.33 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 2.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A |
认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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