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  • 深圳市英德州科技有限公司

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NTMFS4108NT1G产品参数
型号:NTMFS4108NT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:End Of Life
零件包装代码:DFN
包装说明:5 X 6 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, CASE 488AA-01, DFN6, SOP-8
针数:5
制造商包装代码:488AA
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.18
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):450 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):22 A
最大漏极电流 (ID):13.5 A
最大漏源导通电阻:0.0022 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):6.25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):203 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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