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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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NTMSD2P102LR2G产品参数
型号:NTMSD2P102LR2G
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:SOT
包装说明:LEAD FREE, CASE 751-07, SOIC-8
针数:8
制造商包装代码:CASE 751-07
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.33
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):2.3 A
最大漏源导通电阻:0.09 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):175 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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