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NTQD6968R2产品参数
型号:NTQD6968R2
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:TSSOP
包装说明:PLASTIC, TSSOP-8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.29
雪崩能效等级(Eas):150 mJ
配置:COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):6.6 A
最大漏源导通电阻:0.022 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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