NTR2101PT1G产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23

详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 960mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：8V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 3.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1173pF @ 4V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：960mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

其它名称：NTR2101PT1GOSTR