NTS2101PT1G产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323

详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 1.4A（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3（SOT323）

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：8V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：700mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.4nC @ 5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：640pF @ 8V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：290mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

封装/外壳：SC-70，SOT-323

标准包装：3,000

其它名称：NTS2101PT1GOSTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）