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  • NTZD3156CT1G图
  • 八零友创集团

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  • NTZD3156CT1G 现货库存
  • 数量685600 
  • 厂家PTIF 
  • 封装SOP/NA 
  • 批号22+ 
  • ▉18664558455▉承诺★原装▉代理★品牌▉假一★罚十▉
  • QQ:2880720332QQ:2880720334
  • 0755-88601790 QQ:2880720332QQ:2880720334
  • NTZD3156CT1G图
  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • NTZD3156CT1G
  • 数量26700 
  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装▊原厂封装▊ 
  • 批号▊ROHS环保▊ 
  • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
  • QQ:2881664479
  • 755-83790645 QQ:2881664479
  • NTZD3156CT1G图
  • 深圳市新力诚科技有限公司

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  • NTZD3156CT1G
  • 数量10000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装原厂封装 
  • 批号2021+ 
  • 全新原装现货库存,超低价清仓!
  • QQ:2470148556QQ:932726535
  • 0755-83200480 QQ:2470148556QQ:932726535
  • NTZD3156CT1G图
  • 集好芯城

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  • NTZD3156CT1G
  • 数量1068 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装 
  • 批号最新批次 
  • 原厂原装公司现货
  • QQ:3008092965QQ:3008092965
  • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
  • NTZD3156CT1G图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • NTZD3156CT1G
  • 数量12500 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT563 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
  • QQ:1002316308QQ:515102657
  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
  • NTZD3156CT1G图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • NTZD3156CT1G
  • 数量78800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-563 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • NTZD3156CT1G图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • NTZD3156CT1G
  • 数量78800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-563 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
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  • NTZD3156CT1G图
  • 宇芯通实业(深圳)有限公司

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  • NTZD3156CT1G
  • 数量30000 
  • 厂家ON安森美 
  • 封装20V,540/?430mA,互补小信号MOSFET带ESD保护 
  • 批号20+ 
  • 只做品牌原装假一赔十
  • QQ:2903107741
  • 0755-84535756 QQ:2903107741
  • NTZD3156CT1G图
  • 深圳市捷立辉科技有限公司

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  • NTZD3156CT1G
  • 数量29686 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-563-6 
  • 批号21+ 
  • 进口原装现货,公司真实库存ON代理渠道
  • QQ:1803576909
  • -0755-82792948 QQ:1803576909
配单直通车
NTZD3156CT1G产品参数
型号:NTZD3156CT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:End Of Life
包装说明:1.60 X 1.60 MM, LEAD FREE, CASE 463A-01, 6 PIN
针数:6
制造商包装代码:463A-01
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.64
Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.54 A
最大漏极电流 (ID):0.54 A
最大漏源导通电阻:0.55 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.28 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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