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NUP4000DR2G产品参数
型号:NUP4000DR2G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G8
针数:8
制造商包装代码:751-07
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:1 week
风险等级:6.24
最小击穿电压:16.7 V
击穿电压标称值:16.7 V
最大钳位电压:30 V
配置:4 BANKS, COMMON BIPOLAR TERMINAL, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:400 W
元件数量:8
端子数量:8
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:15 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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