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NUP8010MNT1G产品参数
型号:NUP8010MNT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:DFN
包装说明:S-PDSO-N8
针数:8
制造商包装代码:506AK
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.8
最大击穿电压:5.9 V
最小击穿电压:5.3 V
击穿电压标称值:5.6 V
最大钳位电压:13 V
配置:SEPARATE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:S-PDSO-N8
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:20 W
元件数量:8
端子数量:8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):265
极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:3 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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