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型号: | NV24C02SNVLT3G |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
包装说明: | TSOP, TSOP5/6,.11,37 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.79 |
最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz |
数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010XXXR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G5 |
长度: | 3 mm |
内存密度: | 2048 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 5 |
字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2KX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP5/6,.11,37 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1.1 mm |
串行总线类型: | I2C |
最大待机电流: | 0.000002 A |
最大压摆率: | 0.0005 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.95 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 1.5 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 4 ms |
写保护: | HARDWARE |
Base Number Matches: | 1 |
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