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NVD5C446NT4G产品参数
型号:NVD5C446NT4G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码:369C
Reach Compliance Code:not_compliant
Factory Lead Time:26 weeks
风险等级:1.59
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):101 A
最大漏极电流 (ID):101 A
最大漏源导通电阻:0.0032 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):40 pF
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):101 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):590 A
参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON
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