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  • 深圳市英德州科技有限公司

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配单直通车
NVMFS5826NLT1G产品参数
型号:NVMFS5826NLT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:DFN
包装说明:6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, CASE 488AA-01, DFN5, SOP-6
针数:5
制造商包装代码:488AA
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:0.61
雪崩能效等级(Eas):20 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):26 A
最大漏源导通电阻:0.032 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):130 A
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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