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  • 深圳市芯柏然科技有限公司

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  • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售
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配单直通车
NVMTS2D0N08H产品参数
型号:NVMTS2D0N08H
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):207 A
最大漏极电流 (ID):207 A
最大漏源导通电阻:0.002 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):25 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-F5
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):205 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):900 A
参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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