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NVTFS5116PLTAG产品参数
型号:NVTFS5116PLTAG
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:DFN
包装说明:ROHS COMPLIANT, CASE 511AB-01, WDFN-8
针数:8
制造商包装代码:511AB
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:0.54
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1122587
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1122587
Samacsys PartID:1122587
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/NVTFS5116PLTAG.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/NVTFS5116PLTAG.jpg
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category:Other
Samacsys Footprint Name:WDFN8 3.3x3.3, 0.65P CASE 511AB ISSUE D_2
Samacsys Released Date:2019-02-27 19:41:26
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):45 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A
最大漏极电流 (ID):6 A
最大漏源导通电阻:0.072 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-PDSO-F5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):3.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):126 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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