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NVTFS5116PLTAG产品参数和技术文档

NVTFS5116PLTAG产品图

NVTFS5116PLTAG产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1,500
0.49214
$738.21

NVTFS5116PLTAG产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):52 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1258pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.2W(Ta),21W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerWDFN

标准包装:1,500

其它名称:NVTFS5116PLTAG-ND NVTFS5116PLTAGOSTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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