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| 型号: | NX3V1G66GW |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 零件包装代码： | TSSOT |
| 包装说明： | 1.25 MM, PLASTIC, MO-203, SOT353-1, SC-88A, TSSOP-5 |
| 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPST |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 2.05 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 正常位置： | NO |
| 信道数量： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 |
| 标称断态隔离度： | 90 dB |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 0.9 Ω |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP5/6,.08 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.5/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.1 mm |
| 子类别： | Multiplexer or Switches |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 4.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.4 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 表面贴装： | YES |
| 最长断开时间： | 26 ns |
| 最长接通时间： | 49 ns |
| 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 1.25 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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