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| 型号: | NXH80T120L2Q0S2G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20 |
| 制造商包装代码： | 180AB |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 4 weeks |
| 风险等级： | 2.32 |
| 其他特性： | RC-IGBT |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 67 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | COMPLEX |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.4 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X20 |
| 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 20 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 158 W |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 293 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 88 ns |
| VCEsat-Max： | 2.85 V |
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