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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家onsemi(安森美) 
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  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOT223 
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  • 深圳现货库存,保证原装正品
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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOT-223 
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  • 房间现货,价格优势。
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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 厂家Fairchild Semiconductor 
  • 封装SOT-223-4 
  • 批号23+ 
  • 进口原装现货热卖PBSS4330X
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOT-223 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 0755-23605827 QQ:2881495753
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOT-223 
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  • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
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  • 深圳市澳亿芯电子

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  • 封装SOT-223 
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOT223 
  • 批号22+ 
  • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SMD 
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  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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  • 0755-23616725 QQ:2885648621
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 厂家Fairchild(飞兆/仙童) 
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  • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
  • QQ:2881664479QQ:2881664479 复制
  • 755-83790645 QQ:2881664479
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量865000 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOT-223 
  • 批号最新批号 
  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 0755-83225692 QQ:2881475757
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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 原装正品现货,可出样品!!!
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  • 0755-83254070 QQ:229754250
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  • 深圳市隆亿诚科技有限公司

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  • 数量3253 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOT-223 
  • 批号22+ 
  • 支持检测.现货价优!
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 数量46000 
  • 厂家一级代理 
  • 封装一级代理 
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  • 一级代理正品采购
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量36500 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOT-223 
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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 集好芯城

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  • 数量19430 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOT-223 
  • 批号最新批次 
  • 原装原厂 现货现卖
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  • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量31741 
  • 厂家Fairchild 
  • 封装SOT-223 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
  • QQ:364510898QQ:364510898 复制
    QQ:515102657QQ:515102657 复制
  • 0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:364510898QQ:515102657
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • NZT7053
  • 数量9000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOT-223 
  • 批号2021+ 
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  • 0755-83237676 QQ:2885514621QQ:1017582752
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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • NZT7053
  • 数量4675 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOT-223 
  • 批号2023+ 
  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
  • QQ:2881894392QQ:2881894392 复制
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • NZT7053
  • 数量13353 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOT223 
  • 批号22+ 
  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 深圳市福田区恒科电子商行

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  • 数量89372 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-223 
  • 批号23+ 
  • 原装现货实单可谈样品可出
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量83500 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-223 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • NZT7053图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • NZT7053
  • 数量36218 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-223-4 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥3.5元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025QQ:43871025 复制
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • NZT7053
  • 数量19759 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOT-223 
  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货热卖
  • QQ:2885348339QQ:2885348339 复制
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • NZT7053
  • 数量28998 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOT-223 
  • 批号2020+ 
  • 全新原装进口现货特价热卖,长期供应."
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 数量21230 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOT-223 
  • 批号2023 
  • 上海原装现货库存,欢迎查询!
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产品型号NZT7053的概述

芯片NZT7053的概述 NZT7053是一款高性能的集成电路芯片,主要用于各种电子应用和嵌入式系统中。该芯片以其高效率和稳定性广泛应用于通信、消费电子、医疗设备和工业自动化等领域。其设计目标是提供广泛的功能同时保持较低的功耗,使其成为一种能够满足现代电子设备日益增长需求的理想选择。 NZT7053采用了最新的制造工艺,具有良好的电气性能和环境适应能力。通过引入先进的集成电路设计技术,该芯片实现了高密度的功能集成,能够处理复杂的信号和数据处理任务。此外,在时序和功能的配置上,NZT7053也展现了灵活性和可扩展性,为用户提供了丰富的开发选项。 芯片NZT7053的详细参数 NZT7053的详细参数如下: - 工作电压: 1.8V 至 5.5V - 工作温度范围: -40°C 至 85°C - 标准接口: SPI、I2C、UART - 存储器: - 内部存储器: 32KB FLASH...

产品型号NZT7053的Datasheet PDF文件预览

Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
2N7052  
2N7053  
NZT7053  
C
E
C
TO-92  
C
B
B
TO-226  
C
E
SOT-223  
B
E
NPN Darlington Transistor  
This device is designed for applications requiring extremely high  
gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage.  
Sourced from Process 06.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
100  
100  
V
V
V
A
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
12  
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
1.5  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N7052  
2N7053  
*NZT7053  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
1,000  
8.0  
125  
1,000  
8.0  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
50  
125  
°C/W  
*Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.  
ã 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NPN Darlington Transistor  
(continued)  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage* IC = 1.0 mA, IB = 0  
100  
100  
12  
V
V
V
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Cutoff Current  
I = 100 A, I = 0  
µ
C
E
IE = 1.0 mA, IC = 0  
VCB = 80 V, IE = 0  
VCE = 80 V, IE = 0  
VEB = 7.0 V, IC = 0  
0.1  
0.2  
0.1  
A
A
A
µ
µ
µ
ICES  
Collector-Cutoff Current  
IEBO  
Emitter-Cutoff Current  
ON CHARACTERISTICS*  
hFE  
DC Current Gain  
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V  
IC = 1.0 A, VCE = 5.0 V  
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA  
10,000  
1,000  
20,000  
1.5  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
V
VCE(sat)  
VBE(on)  
IC = 100 mA, VBE = 5.0 V  
2.0  
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Transition Frequency  
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V,  
200  
MHz  
pF  
FT  
Collector-Base Capacitance  
VCB = 10 V,f = 1.0 MHz  
10  
8.0  
2N7052  
2N7053  
Ccb  
*Pulse Test: Pulse Width £300 ms, Duty Cycle £1.0%  
Typical Characteristics  
Typical Pulsed Current Gain  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage vs Collector Current  
vs Collector Current  
100  
2
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
β = 1000  
80  
60  
125 °C  
- 40°C  
40  
25 °C  
25 °C  
125 °C  
20  
0
- 40°C  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
IC - COLLECTOR CURRENT (A)  
IC - COLLECTOR CURRENT (mA)  
NPN Darlington Transistor  
(continued)  
Typical Characteristics (continued)  
Base-Emitter Saturation  
Voltage vs Collector Current  
Base Emitter ON Voltage vs  
Collector Current  
2
2
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
β = 1000  
- 40°C  
1.6  
- 40°C  
25 °C  
25 °C  
1.2  
125 °C  
125 °C  
0.8  
VCE= 5V  
0.4  
0
10  
100  
1000  
10  
100  
1000  
IC - COLLECTOR CURRENT (mA)  
I C - COLLECTOR CURRENT (mA)  
Junction Capacitance vs  
Reverse Bias Voltage  
Collector-Cutoff Current  
vs. Ambient Temperature  
100  
10  
1
100  
VCB = 80V  
10  
1
C
ib  
0.1  
0.01  
C
cb  
25  
50  
75  
100  
125  
0.1  
1
10  
100  
TA- AMBIENT TEMPERATURE (ºC)  
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)  
Power Dissipation vs  
Ambient Temperature  
Typical Collector-Emitter Leakage  
Current vs Temperature  
1
0.75  
0.5  
0.25  
0
1000  
VCE = 80V  
VBE = 0  
SOT-223  
100  
10  
1
TO-92  
TO-226  
0.1  
0
40  
80  
120  
160  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TEMPERATURE (oC)  
º
TJ - JUNCTION TEMPERATURE ( C)  
TRADEMARKS  
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not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
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Definition of Terms  
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Preliminary  
First Production  
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Obsolete  
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Not In Production  
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that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
The datasheet is printed for reference information only.  
配单直通车
NZT7053产品参数
型号:NZT7053
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1.5 A
基于收集器的最大容量:8 pF
集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000
JEDEC-95代码:TO-261
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1 W
最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz
VCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1
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