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P6SMB58产品参数
型号:P6SMB58
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-J2
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.78
其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压:63.8 V
最小击穿电压:52.2 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-J2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4
最大重复峰值反向电压:52.78 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:J BEND
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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