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品牌:ON Semiconductor
描述:JFET P-CH 30V 350MW TO92
详细描述:JFET P-Channel 30V 350mW Through Hole TO-92-3
制造商:ON Semiconductor
系列:-
包装:散装
零件状态:停產
FET 类型:P 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):5V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):45pF @ 15V
电阻 - RDS(开):150 Ohms
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装:TO-92-3
标准包装:2,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
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