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| 型号: | PCF8582C-2P |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N |
| 数据保留时间-最小值： | 10 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节： | 1010DDDR |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 内存密度： | 2048 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 8 |
| 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256X8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 电源： | 3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 串行总线类型： | I2C |
| 最大待机电流： | 0.0000035 A |
| 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.002 mA |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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