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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市芯泽盛世科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市一呈科技有限公司

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  • 厂家原装正品 
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  • 深圳市欧瑞芯电子有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 大源实业科技有限公司

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PD55035S产品参数
型号:PD55035S
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F2
针数:2
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.74
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8.5 A
最大漏极电流 (ID):7 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:165 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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