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PD85006-E产品参数
型号:PD85006-E
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
针数:10
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.67
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):2 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:3
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:165 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):36.5 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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