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PD85006L-E产品参数
型号:PD85006L-E
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
包装说明:ROHS COMPLIANT, 5 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, PLASTIC, POWERFLAT-5
针数:5
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:11 weeks
风险等级:5.75
Is Samacsys:N
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):2 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:S-PQCC-N5
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20.8 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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