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型号: | PF58F0031M0Y1BE |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred |
IHS 制造商: | INTEL CORP |
零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 11 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, SCSP-105 |
针数: | 105 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.75 |
最大时钟频率 (fCLK): | 108 MHz |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B105 |
JESD-609代码: | e1 |
长度: | 15 mm |
内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 105 |
字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 64MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
类型: | NAND TYPE |
宽度: | 11 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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