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型号: | PH6030L,115 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, LFPAK-5 |
针数: | 235 |
Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 |
雪崩能效等级(Eas): | 95 mJ |
外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 76.7 A |
最大漏极电流 (ID): | 76.7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0097 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MO-235 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 62.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 300 A |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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